Технологическое оборудование для микроэлектроники
8 (800) 700-08-45
+7 (812) 240-00-78     

Диффузионные процессы

При диффузии, например, из газовой фазы пластина полупроводника, обладающего электронной проводимостью, помещается в пары вещества, придающего полупроводнику дырочный характер проводимости и находящегося при температуре на 10-30% ниже температуры плавления полупроводника. Атомы вещества-диффузанта, совершая хаотическое тепловое движение, бомбардируют открытую поверхность полупроводника и проникают вглубь его объёма. Максимальная концентрация атомов создаётся в приповерхностном слое — этот слой приобретает дырочную проводимость. По мере удаления от поверхности концентрация акцепторов падает и в некотором сечении становится равной концентрации доноров. Это сечение будет соответствовать положению р-n-перехода. В слоях, расположенных на большей глубине, преобладают доноры, и полупроводник остаётся электронным.

Метод диффузии — основной метод получения р-n-переходов. Так же диффузия используется для получения диэлектрических слоев (в основном оксидов и нитридов) на поверхности подложки. Обычная диффузионная печь способна вмещать и обрабатывать одновременно большое число подложек – несколько десятков (по сравнению, например, с поштучной обработкой при ионной имплантации).

Применение:

  • Создание p-n-переходов
  • Осаждение слоев диэлектриков (Si3N4, SiO2 и др.)

 

Установки серии 2000 представляют собой системы для проведения термических процессов в серийном производстве.
Установки серии 5x00 предназначены для проведения групповых процессов термической обработки полупроводниковых пластин (150мм в диаметре) в крупносерийном производстве. Главным отличием установок 5100 и 5200 является размер рабочей области реактора, 588 – 762мм и 915 – 1067 мм соответственно.
Установки серии 2х60 представляют собой отдельностоящие системы для проведения групповых термических процессов в мелкосерийном производстве. Основным преимуществом данной серии является небольшая занимаемая площадь.
Серия установок 2х10 была разработана специально для исследовательских целей и мелкосерийного производства. Установки представляют собой настольную горизонтальную мини-систему для проведения групповых термических процессов.
Установки 5200PV и 8200PV предназначены для групповой термической обработки полупроводниковых пластин размерами 126 х 126мм и 156 х 156мм. Установки данной серии могут оснащаться четырьмя горизонтально расположенными трубчатыми реакторами.