Технологическое оборудование для микроэлектроники
8 (800) 700-08-45
+7 (812) 240-00-78     

Термическое распыление

В основе метода термического распыления лежит резистивный нагрев в сверхвысоком вакууме (до 10-8 Па) исходных материалов до температуры, при которой кинетическая энергия атомов и молекул в поверхностном слое твердого тела становится достаточной для их отрыва и распространения в окружающем пространстве.

Процесс состоит из нескольких стадий:

  • переход напыляемого вещества или материала из конденсированной фазы в газовую;
  • перенос молекул и атомов газовой фазы к поверхности подложки;
  • конденсация их на поверхности, образование и рост зародышей, формирование тонких пленок и покрытий.

Нагрев резистивным способом обеспечивается за счет тепла, выделяемого при прохождении электрического тока непосредственно через напыляемый материал или через испаритель, в который он помещается. Конструктивно резистивные испарители можно разделить на проволочные, ленточные, лодочные и тигельные. Резистивное напыление, оно же термическое осаждение, легко в реализации, обладает высокой скоростью испарения вещества и возможностью регулирования её в широких пределах за счет изменения подводимой к испарителю мощности. Метод дает возможность получения покрытий, практически свободных от загрязнений. Установка термического напыления может использоваться в планарной технологии полупроводниковых микросхем, в производстве тонкопленочных гибридных схем, изделий пъезотехники, акустоэлектроники, в оптике. Эти процессы включают в себя нанесение контактов, просветляющих, отражающих и других покрытий, а также металлизацию поверхности пластмассовых и стеклянных изделий.

Применение:

  • Формирование слоёв металлов (Al, Au, Cu, Cr, Ni, V, Ti и др.) и сплавов (NiCr, CrNiSi)
  • Формирование слоёв диэлектриков (SiO2)
  • Металлизация поверхности пластмасс, стекол, других материалов.

 

Установка вакуумного напыления Kurt J. Lesker mini-Spectros является младшей моделью линейки установок Spectros, предназначенных, преимущественно, для испарения органических материалов и производства OLED.
Установка вакуумного напыления Kurt J. Lesker lab18 является модификацией установки PVD75, предназначенной R&D задач. Установка lab18 может быть оснащена вакуумным загрузочным шлюзом для обеспечения высокой чистоты при реализации R&D процессов.
Установка вакуумного напыления Kurt J. Lesker PVD250 фактически представляет собой установку PVD75 с вакуумной камерой увеличенного объема.
Установка вакуумного напыления Kurt J. Lesker PVD225 фактически представляет собой установку PVD75 с вакуумной камерой увеличенного объема.
Установка вакуумного напыления Kurt J. Lesker PVD75 является оптимальным выбором для R&D или мелкосерийного производства.
Установка вакуумного напыления Kurt J. Lesker Nano36 является оптимальным выбором для экспериментальной лаборатории или лаборатории университета.