Технологическое оборудование для микроэлектроники
8 (800) 700-08-45
+7 (812) 240-00-78     

Фотолитография

Прецизионная фотолитография — процесс формирования на поверхности подложки элементов приборов микроэлектроники с помощью чувствительных к высокоэнергетическому излучению покрытий, способных воспроизводить заданное взаимное расположение и конфигурацию этих элементов.

Виды фотолитографии:

1. Контактная

Контактная фотолитография традиционно используется для решения задач R&D, пилотного и мелкосерийного производства с топологической нормой порядка 1 мкм. Оборудование для контактной литографии значительно проще и дешевле оборудования для проекционной, лазерной и электронно-лучевой литографии. В процессе контактной литографии фотошаблон непосредственно соприкасается с полупроводниковой пластиной, на поверхность которой нанесён фоторезист. Засветка рисунка топологии происходит при помощи ртутной лампы. Длина волны излучения лампы определяет минимальный размер топологического элемента на подложке (длины волны от 220-280нм — DUV до 350-400нм — UV). Типичное значение разрешения для современных установок контактного совмещения-экспонирования: 0.5-0.8 мкм.

Основным недостатком контактной фотолитографии является ограниченное число контактных циклов (как правило, не более 70-80) и уменьшение показателя выхода годных изделий с ростом числа контактных циклов. Чтобы минимизировать ущерб от контактирования был разработан метод литографии с зазором, где фотошаблон отстоит от пластины на несколько микрометров. Метод позволяет экспонировать целую пластину за одну засветку, что делает его незаменимым при серийном производстве элементов с топологической нормой порядка 1 мкм.

2. Проекционная фотолитография

Проекционная фотолитография используется при серийном производстве полупроводниковых приборов. В данном случае использование контактной литографии невозможно, так как минимальный размер топологического элемента современных приборов (менее 20нм) меньше предельного разрешения систем контактной литографии. Кроме того, диаметр используемых на производстве пластин намного больше (300мм для кремния) — совмещение эскпонирование и засветку пластины реализовать гораздо сложнее, а контакт с шаблоном сильно влияет на воспроизводимость процесса. Поэтому на производстве устанавливают машины, работающие по проекционному принципу: изображение с фотошаблона переносится (проецируется) на полупроводниковую подложку с помощью оптических систем — проекционных объективов. При этом засвечивается не вся пластина, а только один элемент за шаг. Для засветки всей пластины необходимо количество шагов равное количеству элементов на пластине. Поэтому проекционные установки часто называют «stepper» от англ. — шаг.

Преимущества метода заключается в отсутствии механического контакта фотошаблона со слоем фоторезиста на подложке: повреждения фотошаблона не происходит, и его срок службы значительно увеличивается. Также благодаря тому, что проецирование происходит через объектив (обычно десятикратный), и в установках возможно использовать иммерсионную оптику, рабочее разрешение может достигать значений менее 20нм.

Применение:

  • Формирование топологии рисунка в планарной технологии производства полупроводниковых приборов.
Доступна с сентября 2013 года.
Система AMC 2500 предназначена для автоматического нанесения, сушки и проявления фоторезиста. Выполненная в едином компактном корпусе, она позволяет максимально эффективно использовать пространство чистых помещений. Кроме этого AMC 2500 обладает рядом других уникальных особенностей:
Система AMC 2000 предназначена для автоматического нанесения, сушки и проявления фоторезиста. Выполненная в едином компактном корпусе, она позволяет максимально эффективно использовать пространство чистых помещений. Кроме этого AMC 2000 обладает рядом других уникальных особенностей:
Система AMC 1000 предназначена для автоматического нанесения, сушки и проявления фоторезиста. Выполненная в едином компактном корпусе, она позволяет максимально эффективно использовать пространство чистых помещений. Кроме этого AMC 1000 обладает рядом других уникальных особенностей:
Данная серия шкафов предназначена для хранения электронных компонентов и микросхем в среде инертного газа. При выставлении необходимой относительной влажности, происходит напуск азота. При достижении заданной величины влажности, подача газа прекращается.
Полуавтоматическая установка совмещения и экспонирования NXQ4006 48x60 сочетает в себе возможность прецизионного совмещения и экспонирования, гибкость в настройке и удобство работы для оператора.
Данный сушильный шкаф предназначен для защиты от влаги электронных устройств и компонентов. Серия А1М регулируется от 5% RH до 50% RH. Внутренняя среда сушильного шкафа контролируется при помощи цифрового контроллера.
Установка NXQ 8006 Sapphire высокой производительности оснащена механизмом автоматического совмещения и роботизированной системой загрузки пластин.
Полуавтоматическая установка совмещения и экспонирования NXQ4006 сочетает в себе возможность прецизионного совмещения и экспонирования, гибкость в настройке и удобство работы для оператора.