Технологическое оборудование для микроэлектроники
8 (800) 700-08-45
+7 (812) 240-00-78     

Гальванические процессы

Процесс гальванического осаждения (электроосаждения) металлов осуществляют в специальных электролизерах (ваннах), заполненных электролитом. В электролит погружаются металлические электроды, к которым подводится ток от внешнего источника постоянного тока. Электрод, соединенный с положительным полюсом, является анодом. Электрод, соединенный с отрицательным полюсом — катодом. Ток в электролите переносится ионами. Под действием электрического тока начинается активное проникновение частиц металла, содержащегося в электролите, в верхние слои изделия или подложки. Свойства осажденных пленок зависят от состава электролита, плотности тока, температуры, интенсивности перемешивания электролита, скорости дрейфаионов металла, формы и состояния поверхности подложки. Гальваническим способом, как правило, формируют достаточно толстые слои в несколько микрон. В производстве микроэлектронных приборов часто перед гальваническим осаждением для улучшения адгезии напыляют тонкий подслой металла методом магнетронного распыления.

Применение:

  • Изготовление металлических масок.
  • Формирование контактных площадок приборов.
  • Создание жестких и балочных выводов микросхем.
  • Золочение корпусов.
  • Обеспечение пайки радиоэлементов на платы с применением малоактивных (некоррозионных) флюсов.
  • Нанесение защитных и проводящих покрытий

 

Данная серия шкафов предназначена для хранения электронных компонентов и микросхем в среде инертного газа. При выставлении необходимой относительной влажности, происходит напуск азота. При достижении заданной величины влажности, подача газа прекращается.
Данный сушильный шкаф предназначен для защиты от влаги электронных устройств и компонентов. Серия А1М регулируется от 5% RH до 50% RH. Внутренняя среда сушильного шкафа контролируется при помощи цифрового контроллера.
Гальванические линии предназначены для проведения процессов жидкостного осаждения однослойных и многослойных покрытий. Технология и предельные условия гальванического осаждения аналогичны жидкостным процессам.