Технологическое оборудование для микроэлектроники
8 (800) 700-08-45
+7 (812) 240-00-78     

Очистка поверхности

В зависимости от уровня технологии, требуемого уровня чистоты и состояния поверхности применяются различные методы проведения процесса химической обработки, очистки пластин и фотошаблонов.

Погружение в растворы

Для реализации процессов химической обработки в технологии СБИС уровня 0,8-1,2 мкм применяется метод погружения структур в ванны с рабочими растворами. В технологическую ванну заливается химический раствор, в котором производится обработка, к примеру, смесью H2SO4/H2O2. Оборудование разделено на несколько комплексов в соответствии с видом «жидкостной» обработки и смежной технологической операции.

Мегазвуковая очистка

Установка мегазвуковой очистки пластин обычно состоит из рабочей ванны и ванны отмывки. Звуковые волны 0,8-1,0 МГц генерируются в рабочей ванне рядом пьезоэлектрических излучателей и имеют мощность порядка 5 — 10 Вт/см2. Удаление частиц загрязнений с поверхности подложки при мегазвуковой обработке достигается в основном за счет уменьшения толщины граничного акустического слоя до уровня микрометров за счет воздействия микропотоков. Моющая жидкость проникает в область контакта поверхности и загрязнения, частица переходит в объем раствора. С уменьшением кинематической вязкости очищающего раствора и увеличением частоты и мощности звуковых колебаний толщина граничного слоя уменьшается.

Ультразвуковая отмывка

Для проведения ультразвуковой отмывки используется ультразвуковая ванна. При использовании ультразвуковой ванны с частотами 20–50 кГц устранение загрязнений происходит за счет кавитационного эффекта. Явление кавитации заключается в «схлопывании» газовых пузырьков, образующихся при сжатии и расширении жидкости. При использовании ультразвуковой ванны, в растворе, омывающем пластину, создаются переменные сжимающие и растягивающие напряжения, под действием которых образуются кавитационные пузырьки.

Обработка струей жидкости высокого давления

С помощью струи моющей жидкости, подающейся из сопла (0,1 мм) при высоком давлении (20 — 200 кг/см2), проводится очистка поверхности подложек от загрязнений. Очистка поверхности происходит при воздействии на загрязнения струи с силой, превышающей силы адгезии. Чем больше вязкость жидкости, тем большее действие оказывает струя на частицы загрязнений, но тем больше вероятность повреждения поверхности.

Аэрозольно-капельное распыление растворов

Обработка, промывка, сушка, реализованы в центрифужной обработке подложки аэрозольно-капельным распылением растворов. Химические реагенты, вода в необходимой пропорции и определенной последовательности подаются в виде аэрозоля на вращающуюся подложку. Все процессы обработки, сушки проходят в автоматическом режиме по заданной программе. Так как под действием центробежных сил происходит сброс с пластин продуктов реакции, на поверхности всегда находится пленка свежего раствора.

Применение:

  • Очистка пластин и поверхности подложки от загрязнений
  • Снятие фоторезиста, «lift-off» процессы

 

Данная серия шкафов предназначена для хранения электронных компонентов и микросхем в среде инертного газа. При выставлении необходимой относительной влажности, происходит напуск азота. При достижении заданной величины влажности, подача газа прекращается.
Данный сушильный шкаф предназначен для защиты от влаги электронных устройств и компонентов. Серия А1М регулируется от 5% RH до 50% RH. Внутренняя среда сушильного шкафа контролируется при помощи цифрового контроллера.
Система Arias wet bench может быть сконфигурирована под любой процесс химической обработки, что позволяет максимально оптимизировать технологический процесс. Все материалы установки выбираются согласно требованиям к используемым химическим реагентам.
Установка автоматической очистки пластин AccretechA-CS-100A идеальное решение для научно-исследовательских центров и мелкосерийных производств. Автономный блок A-CS-100A предназначен для очистки и сушки пластин после резки.
Установка предназначена для нанесения, проявления фоторезиста на подложки и отмывки подложек спрей-методом. Корпус выполнен из полипропилена. Плоская крышка изготовлена из прозрачного полимера. Подача рабочих веществ осуществляется через встроенные линии CIL.
Установка предназначена для отмывки подложек спрей-методом. Корпус выполнен из полипропилена. Куполообразная крышка изготовлена из прозрачного полимера. Подача рабочих веществ осуществляется через дозаторы-форсунки, установленные на крышке.
Установка предназначена для нанесения, проявления покрытия, травления, отмывки, сушки пластин и фотошаблонов.
Установка предназначена для нанесения, проявления покрытия, травления, отмывки, сушки пластин и фотошаблонов.