Технологическое оборудование для микроэлектроники
8 (800) 700-08-45
+7 (812) 240-00-78     

Газофазная эпитаксия

Метод химического осаждения из газовой фазы (ГФЭ/CVD) - газофазная эпитаксия заключается в том, что компоненты получаемой пленки транспортируют в виде паров их летучих соединений в реактор, где на подложке происходит разложение паров и образование пленки требуемого состава. Химическое осаждение позволяет получать высокочистые твердые материалы.

Одной из распространенных разновидностей ГФЭ / CVD является химическое осаждение из газовой фазы с использованием металлорганических соединений (МОГФЭ / MOCVD) — метод получения материалов путём термического разложения металлорганических соединений, содержащих необходимые для осаждения химические элементы. В зависимости от давления в реакторе, метод делится на осаждение из газовой фазы при атмосферном давлении (APCVD), пониженном давлении (LPCVD) и низком давлении < 10-6Па (UHVCVD). Пониженное давление снижает вероятность нежелательных реакций в газовой фазе и способствует более равномерному осаждению пленки на подложку при более низких температурах (низкотемпературное осаждение).

Химическое осаждение  позволяет получать различные морфологические типы материалов: тонкие и толстые пленки, пленочные гетероструктуры, монокристаллы, стекла. Дает возможность получения нитевидных кристаллов и колончатых структур, эпитаксиальных пленок. Позволяет наносить покрытия на детали сложной формы, практически любой конфигурации и размера. В настоящее время метод CVD широко применяется в производстве полупроводников, оптоэлектроники, режущих инструментов, огнеупорных волокон, фильтров, и т. д.

Применение:

• Эпитаксия нитридов, арсенидов, карбидов и других полупроводниковых и диэлектрических материалов (GaAs, InP, InGaAs, SiO2, Si3N4).
• Формирование слоёв металлов (W, Cu, Ni, Mo, Ta, Ti).
• Нанесение износостойких, антикоррозионных, тугоплавких, металлизированных покрытий.
• Синтез углеродных материалов (нанотрубок, графена, волокон, алмазов).

 

Установка FB-CVD компании SMI предназначена для нанесения однородных покрытий методом химического осаждения из газовой фазы (CVD) на материалы в виде порошков или мелких частиц.
Система Nano V CVD от компании SMI предназначена для проведения процессов химического осаждения из газовой фазы (CVD) широкого спектра материалов, таких как кремний, карбиды, халькогениды, нитриды, оксиды, материалы типа AIIIBV(фосфиды, антимониды), а также таких углеродных материалов, как нанотр
Система Nano H CVD от компании SMI предназначена для проведения процессов химического осаждения из газовой фазы (CVD) широкого спектра материалов, таких как кремний, карбиды, халькогениды, нитриды, оксиды, гетероструктурные полупроводники, а также таких углеродных материалов, как нанотрубки и гр
Установка GaNomite компании SMI является высотехнологичной системой газофазного осаждения, оптимизированной для роста нитридов c традиционным и хлоридным процессом MOCVD.