Технологическое оборудование для микроэлектроники
8 (800) 700-08-45
+7 (812) 240-00-78     

Атомно-слоевое осаждение ALD

Метод атомно-слоевого осаждения (АСО / ALD) получил широкое распространение как технологический процесс, обеспечивающий рост тонких пленок высокого качества на подложках больших размеров. Особенностью метода является формирование молекулярного или атомарного монослоя без образования трехмерных зародышей. Суть метода заключается в раздельной попеременной подаче газообразных реагентов к подложке так, что химические реакции, приводящие к росту пленок, протекают только в хемосорбированных слоях, то есть с исключением реакций в газовой фазе. Цикл выращивания пленки состоит из кратковременных подач исходного материала (прекурсора) с последующими продувками инертным газом. Цикл двухкомпонентного процесса осаждения атомных слоев состоит из кратковременной подачи первого прекурсора, продувки инертным газом, затем кратковременной подаче второго прекурсора и последующей продувки. Толщина плёнки легко и очень точно задаётся и контролируется по количеству циклов осаждения.

Использование реакций только в хемисорбированных слоях приводит к уникальным результатам по воспроизводимости и конформности формируемых слоев, однородности по толщине и плотности, количеству дефектов, стехиометричности состава. Благодаря послойному механизму осаждения возможно формирование беспористых высококонформных тонкопленочных покрытий при создании объектов сложной формы. Покрытие объекта сложной формы при этом происходит со всех сторон. Применение в процессе источника индуктивно связанной плазмы позволяет проводить плазменно стимулированное атомно-слоевое осаждение, благодаря чему значительно расширяется спектр используемых реагентов. В настоящее время метод атомно-слоевого осаждения применяется в технологии КМОП / CMOS при осаждении high-k диэлектриков (HfO2, Al2O3, ZrO2) для устранения туннельного эффекта при уменьшении размеров подзатворного диэлектрика до 1 нм и меньше. Благодаря возможности создания высококонформных слоёв, ALD является единственным методом, используемым при создании DRAM ячеек памяти с характерными размерами менее 100 нм. Помимо этого, метод ALD широко используется для создания диффузионно-барьерных слоёв межсоединений (в основном используются металлы и нитриды).

Применение атомно-слоевого осаждения:

  • Формирование оксидных слоев (HfO2, Al2O3, Ta2O5, TiO2, La2O3, SiO2, ZrO2, SnO2, V2O5, VO2, ZnO).
  • Формирование нитридных слоев (TiN, TaNTa3N5, AlN, GaN,WN).
  • Формирование слоев металлов: (Ru, Cu, W, Mo и др.).
  • Получение высокоточных многослойных систем, нанокомпозитов.

 

Впервые за все время существования технологии ALD, непрерывный рулонный ALD процесс стал доступен для исследовательских целей и коммерческого производства. Система WCS 500 позволяет покрывать гибкие рулонные материалы с шириной полотна до 500мм.
Установка TFS 600 компании Beneq является встраиваемой в производственную линию системой атомно-слоевого осаждения (ALD), предназначенной для инкапсуляции органических светоизлучающих диодов (OLED).
Установка TFS 500 предназначена для использования в разнообразных приложениях по созданию тонкопленочных покрытий, как в исследовательских целях, так и для серийного производства.
Установка TFS 200R компании Beneq является первой в мире системой, предназначенной для проведения процесса атомно-слоевого осаждения (ALD) в режиме «с рулона на рулон» и других форм непрерывного ALD (CALD).
Установка TFS 200 – гибкая ALD платформа, созданная для современных исследований и разработок. Установка TFS 200 идеально подходит для нанесения, например, оксидов, нитридов, карбидов, металлов, сульфидов, флюоридов, биоматериалов, полимеров, наноламинатов и смешанных структур.
Установки атомно-слоевого осаждения (ALD) P400A и P800 компании Beneq предназначены для промышленного производства. Установки идеально подходят для усовершенствования технологии осаждения тонких пленок на стадии R&D и при полноразмерном промышленном производстве.