Технологическое оборудование для микроэлектроники
8 (800) 700-08-45
+7 (812) 240-00-78     

Молекулярно-пучковая эпитаксия (MBE)

Молекулярно-пучковая эпитаксия (МЛЭ / MBE) — метод эпитаксиального выращивания тонких пленок в условиях сверхвысокого вакуума (до 10−8Па), при котором молекулярные или атомарные пучки направляются на монокристаллическую нагретую подложку. Молекулярные пучки формируются в эффузионных ячейках. В одной ростовой камере располагается несколько ячеек, в каждой из которых размещены основные компоненты пленок и материалы легирующих примесей. Эпитаксиальный рост происходит на нагретой подложке. Подобное устройство источников материалов роста дает возможность получения сверхтонких слоев с контролируемой концентрацией составляющих материалов и толщиной (сверхрешеток), структур со сложным составом и со сложным профилем легирования. Высокий уровень вакуума обеспечивает чистоту получаемых слоев.

Большим преимуществом эпитаксии MBE является возможность использования ряда прецизионных методов контроля роста материала insitu (масс-спектрометр, оже-спектрометр, дифрактометр быстрых и медленных отраженных электронов и т.д.). Молекулярно-пучковая эпитаксия MBE характеризуется малой скоростью роста и относительно низкой температурой роста. К достоинствам этого метода MBE следует отнести возможность резкого прерывания и последующего возобновления поступления на поверхность подложки молекулярных пучков различных материалов, что наиболее важно для формирования многослойных структур с резкими границами между слоями.

Применение молекулярно-пучковой эпитаксии:

  • Формирование пленок полупроводников (Si, Ge, GaAs, GaN, InAs, SiGe, CdSe, CdHgTe, PbSnTe).
  • Формирование полупроводниковых гетероструктур из тройных растворов, основанных на элементах AIIIBV (AlGaAs, AlGaN, InGaN, InGaAs).
  • Формирование слоев для структур типа «полупроводник на диэлектрике».
  • Эпитаксия арсенидов.
Система GENXplor выпущена компанией Veeco в 2013 году для проведения исследований в области смешанных полупроводников и других перспективных материалов. Данная установка отличается ценовой доступностью, небольшой занимаемой площадью, а также легкостью в использовании и обслуживании.
Гибкая R&D платформа GEN930 для роста материалов AIIIBV-AIIBVI c возможностью встраивания большого числа аналитических модулей контроля в режиме реального времени (дифракция быстрых электронов, пирометрия, эллипсометрия, отслеживание оптического потока, отражательная спектроскопия), используе
Кластерная модель МЛЭ GEN200 Edge является оптимальным выбором для производства с использованием пластин размером 3" (75 мм) или 4" (100 мм).
Система GEN20 предназначена для исследовательских целей и создания пилотных производств. Переход от R&D к выпуску опытных партий осуществляется благодаря объединению в единой системе дизайна ростового модуля установки GEN10 и производственной системы GEN200.
Установка GEN10 с автоматической загрузкой пластин предназначена для использования в R&D-центрах. Система позволяет использовать до трех ростовых модулей с целью повышения производительности или же для работы с различными материалами в каждом отдельном модуле.
Система DCA M600 является многопрофильной установкой молекулярно пучковой эпитаксии для выращивания пленок и материалов на основе оксидов металлов. Установка M600 доступна в двух вариантах исполнения:
DCA P600 MBE – 3x2” – это высококачественная установка для проведения процессов МЛЭ/MBE, которая прекрасно подходит для решения научно-исследовательских задач. Система позволяет проводить эпитаксиальное выращивание GaN, а также структур типа AIIIBV.
DCA MBE серии S – это автоматические системы для проведения процессов МЛЭ/MBE, которые прекрасно подходят для решения научно-исследовательских задач. Системы разработаны для SiGeC и Si/металлы/оксиды.
DCA MBE серии R - это компактные системы для проведения процессов МЛЭ/MBE, которые прекрасно подходят для решения научно-исследовательских задач. Системы позволяют проводить эпитаксиальное выращивание GaN, а также структур типа AIIIBV и AIIBVI.