Технологическое оборудование для микроэлектроники
8 (800) 700-08-45
+7 (812) 240-00-78     

Рост слитка из газовой фазы

Методы роста слитка из газовой фазы являются достаточно распространенными в современной полупроводниковой промышленности для выращивания полупроводников. Техника и оборудование для газофазного роста материалов постоянно совершенствуются лабораториями и производственными компаниями. Одним из наиболее актуальных применений метода является рост слитков карбида кремния, который находит все большее применение для различных типов электронных приборов. Отличительной особенностью газофазного роста является то, что осаждаемые вещества подводятся к затравке в газовой фазе.

Методы газофазного роста можно разделить на три основных вида:

  1. Высокотемпературное осаждение из газовой фазы (HTCVD). Исходные газообразные вещества вместе с газом-носителем подаются в реакционную зону, нагретую до высоких температур (свыше 2000°C), и осаждаются на затравку. Достоинством этого метода является стабильность стехиометрии растущего кристалла по длине благодаря возможности точного поддержания потоков газов-прекурсов. Слитки, выращенные этим методом, имеют очень малое число дефектов. Недостатком метода является низкая скорость роста. 
  2. Галогеновое химическое газофазное осаждение (HCVD). Данный процесс аналогичен высокотемпературному осаждению, но отличается от него использованием галогеновых прекурсов. Процесс специально разработан для увеличения эффективности преобразования исходных газов в конечный материал, и сведения к минимуму осаждения на стенки реактора. К этому методу относятся все достоинства метода HTCVD.
  3. Сублимационный метод. В основе метода лежит процесс нагрева материала-источника до температуры сублимации с последующим осаждением его на затравке. Затравка находится в области более низких температур и располагается над источником. Газ под действием градиента температур перемещается к затравке и конденсируется на ней. Данный метод является более производительным по сравнению с HTCVD, но слитки, полученные этим методом, являются менее чистыми и стехиометрически неоднородными по длине.

Применение:

  • Объемный рост монокристаллов SiC для R&D целей (все методы);
  • Объемный рост монокристаллов SiC для серийного производства подложек (сублимация).
Одна из новых установок компании Structured Materials Industries, Inc., предназначенная для роста карбидов. Dragon CVD компактна, что позволяет устанавливать ее не только на предприятиях, но и в исследовательских лабораториях.