Технологическое оборудование для микроэлектроники
8 (800) 700-08-45
+7 (812) 240-00-78     

Отжиг и окисление

Отжиг

Отжиг — вид термической обработки материалов, заключающийся в нагреве до определённой температуры (т.н. температура отжига); выдержке при температуре отжига в течение определенного времени; и последующем, обычно медленном, охлаждении. Отжиг полупроводниковых структур проводится с целью уменьшения количества дефектов и снятия механических напряжений. Эти дефекты и напряжения связаны в основном с использованием методов радиационной модификации структуры (ионная имплантация, высокоэнергетические электроны и др.). Внутренние механические напряжения оказывают значительное влияние на поверхностное натяжение, структурное совершенство и равномерное распределение электрофизических характеристик по пластине. Отжиги различных материалов могут производиться как при достаточно низких (800 ºС), так и при высоких (до 2000 ºС) температурах.

Применение:

  • Снятие механических напряжений и устранение структурных дефектов.

Окисление

Окисление — это процесс формирования пленки оксида на поверхности кремниевой подложки. Слой двуокиси кремния формируется на кремниевой пластине за счет химического взаимодействия в приповерхностной области полупроводника атомов кремния и кислорода. Кислород содержится в окислительной среде, с которой контактирует поверхность кремниевой подложки, нагретой в печи до температуры 900 — 1200 ºС. Окислительной средой может быть сухой или влажный кислород. Влажное окисление при высокой скорости наращивания используется для создания толстых слоев окисла, однако в этом случае нелегко обеспечить высокую чистоту окисного слоя. В тех случаях когда надо обеспечить низкую плотность поверхностных состояний и высокую надежность применяется сухое окисление. Для выращивания толстых слоев высокого качества используется длительное влажное окисление, сопровождаемое в начале и в конце коротким периодом сухого окисления («сухое-влажное-сухое» окисление). В случае, когда необходимо проводить выборочное окисление отдельных областей подложки, маскирующие участки выполняются из нитрида кремния.

Применение:

  • Формирование пленок и толстых слоев SiO2.

 

Установка предназначена для температурной обработки полупроводниковых пластин и подложек диаметром до 300 мм или нескольких образцов меньших размеров, и может применяться для различных технологических процессов в условиях как R&D центра, так и мелкосерийного производства.