Технологическое оборудование для микроэлектроники
8 (800) 700-08-45
+7 (812) 240-00-78     

Ионная имплантация

Ионная имплантация — это способ введения атомов примесей в приповерхностные слои твердого тела путем бомбардировки пучком ионов. В зависимости от области применения энергия пучка может составлять от 1 кэВ до 50 МэВ. Имплантируемые ионы внедряются в материал на глубину от 0,01 до 1 мкм. Толщина слоя зависит от энергии и массы ионов, а также от массы атомов мишени. Ионная имплантация дает возможность сплавлять металлы, которые в расплавленном состоянии не смешиваются, или легировать одно вещество другим в разной концентрации.

Используя ионную имплантацию, возможно предсказание и управление электрическими и механическими свойствами формируемых элементов при заданных условиях имплантации; формирование неравновесных метастабильных структур, которые в ряде случаев имеют уникальные физико-механические свойства, в частности высокую твердость и пластичность одновременно. Помимо этого, с помощью ионной имплантации возможна реализация SIMOX-метода (разделение имплантированным кислородом) для формирования SOI (кремний на изоляторе): имплантация большой дозы ионов кислорода и последующий высокотемпературный вакуумный отжиг.

Применение:

  • Легирование полупроводников (используются в основном ионы B, P, As и другие) с целью создания примесной проводимости, гетеропереходов, низкоомных контактов.
  • Формирование SOI посредством SIMOX-метода.
  • Изменение физических и химических свойств металлов: повышения твердости, износостойкости, коррозионной стойкости, упрочнение поверхности.
  • Заполнение фуллеренов и нанотрубок проводящим или сверхпроводящим материалом.
  • Придание верхнему слою металла аморфной структуры.