Технологическое оборудование для микроэлектроники
8 (800) 700-08-45
+7 (812) 240-00-78     

Ионно-лучевое распыление

Ионно-лучевое распыление представляет собой процесс нанесения материалов в вакууме (10-3…10-2 Па), при котором поток осаждаемых частиц получают в результате бомбардировки поверхности исходного напыляемого материала ускоренными ионами. Метод заключается в распылении мишени направленным ионным пучком и последующем осаждении распыленных частиц на нагретой до определённой температуры подложке. Для бомбардировки используются, как правило, ионы инертного газа, которые подаются к распыляемому материалу в виде концентрированного потока с энергией 1-10 кэВ. Источником ионов служит либо самостоятельный тлеющий разряд, либо плазма несамостоятельного разряда. Вытягивание пучка и ускорение ионов до требуемой энергии происходит в специальной ионно-оптической системе.

Особенностью метода является возможность нанесения покрытий на термочувствительные материалы (пластики, фоторезисты), так как процесс нанесения характеризуется низкими температурами. Ионно-лучевое распыление характеризуется высокой стабильностью скорости процесса, достаточно низкими давлениями по сравнению с другими вакуумными методами, что способствует повышению чистоты получаемых пленок. Метод применяется при получении многослойных слоистых структур для наноэлектроники с толщиной слоев 1-10 нм. Помимо этого, ионно-лучевое распыление применяется при создании микрокристаллических пленок (Cr, CoCrPt) для перпен¬дикулярной магнитной записи MRAM-устройств, при создании оптических тонкопленочных покрытий, нанесении изолирующих слоев Al2O3.

Применение:

- Формирование слоев металлов (Au, Pt, Сu, Si, Ni, Al, Cr) и сплавов (CoCrPt);

- Формирование пленок оксидов (Al2O3, TiO2, SiO2, ZrO2);

- Формирование алмазоподобных углеродных пленок.